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Avalanche mode of high-voltage overvolting p+-i-n+-structures switching into conductive state by pulsed lighting

机译:雪崩模式的高压过压p + -i-n + - 结构切换   通过脉冲照明进入导电状态

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摘要

A simple analytical theory of high-voltage overvolting p+-i-n+-structurespicosecond switching into conducting state by pulsed lighting has beendeveloped. Relationship between parameters of structure, light pulse, externalcircuit and the main characteristics of the process (pulse current amplitude,delay time and duration of switching process) have been obtained and confirmedby numerical simulation. It was shown that the energy of picosecond light pulsethat is needed for effective switching can be reduced by 6-7 orders ofmagnitude due to the intensive avalanche multiplication of electrons and holes.
机译:提出了一种简单的高压脉冲过电压使p + -i-n +-结构微秒转换为导通状态的解析理论。获得了结构参数,光脉冲,外部电路与过程主要特征(脉冲电流幅度,延迟时间和切换过程的持续时间)之间的关系,并通过数值模拟对其进行了确认。结果表明,由于电子和空穴的大量雪崩倍增,有效切换所需的皮秒光脉冲能量可以降低6-7个数量级。

著录项

  • 作者

    Alexander, Kyuregyan;

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ru
  • 中图分类

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